Ученые случайно повысили проводимость кристалла в 400 раз

Ученые случайно обнаружили, что электропроводность кристалла повышается в 400 раз, если его выставить под свет — с помощью этого эффекта физики смогут значительно повысить емкость и скорость запоминающих устройств; результаты исследования опубликованы в журнале Physical Review Letters.

Мэриэн Тарун (Marianne Tarun) из университета штата Вашингтон и ее коллеги проводили исследование титаната стронция. В ходе работы они заметили, что его электропроводность внезапно увеличилась. Сначала они не могли понять, в чем дело, и лишь затем выяснили, что электропроводность росла, когда кристаллы оказывался на свету.

Тогда ученые провели эксперимент: оставили кристаллы под ярким светом на 10 минут, а затем убрали в темноту. Оказалось, что эффект повышения электропроводности длится несколько дней — исследователи объясняют это тем, что свет высвобождает электроны в материале, позволяя им переносить больше электрического тока.

Эта способность, так называемая остаточная фотопроводимость, не имеет ничего общего со сверхпроводимостью — полным отсутствием электрического сопротивления, которой физики могут добиться только при температурах, близких к абсолютному нулю, — свой эффект Тарун и ее коллеги обнаружили при нормальных условиях.

"Появление этого эффекта при комнатной температуре открывает новые возможности. В стандартной компьютерной памяти информация накапливается на поверхности микросхем или жестких дисков, а на устройствах с использованием остаточной фотопроводимости информация может храниться во всем кристалле", — считает Мэттью МакКласки, соавтор исследования, слова которого приводятся в сообщении университета.

Этот подход получил название голографической памяти: он считается потенциальной заменой технологий повышенной емкости данных. Так, если сейчас на магнитных и оптических носителях данные записываются в один-два слоя, то в голографической памяти они будут записываться по всему объему устройства, а скорость записи и чтения информации повысится.