Вход / Регистрация
05.12.2025, 09:34
Выбор фона:
/ Новости сайта / Наука и Технологии / Предложен новый способ изготовления транзисторов с трёхмерной структурой.
07.12.2011
Предложен новый способ изготовления транзисторов с трёхмерной структурой.
07.12.11 Исследователи из Университета Пердью и Гарвардского университета (оба — США) ищут новые материалы для изготовления транзисторов с трёхмерной структурой, призванные прийти на смену традиционному кремнию.
В 2012 году корпорация Intel начнёт производство первых в мире процессоров, использующих технологию Tri-Gate, которая предполагает переход от планарных структур транзисторов к объёмным. 22-нанометровые микрочипы Ivy Bridge обеспечат 37-процентный прирост быстродействия по сравнению с современными 32-нанометровыми изделиями.
Кроме того, уже ведутся исследования по разработке и внедрению 14-нанометровой технологии производства. Однако дальнейшая миниатюризация, считают американские учёные, будет сопряжена с рядом трудностей, отчасти вызванных свойственными кремнию ограничениями на размеры элементов.
Вместо этого материала предлагается использовать полупроводники группы III-V (соединения, в которые входят элементы из подгрупп бора и азота). Речь, в частности, идёт об арсениде индия-галлия InGaAs.
Результаты работ учёные намерены представить на конференции International Electron Devices Meeting в Вашингтоне (США).
www
В 2012 году корпорация Intel начнёт производство первых в мире процессоров, использующих технологию Tri-Gate, которая предполагает переход от планарных структур транзисторов к объёмным. 22-нанометровые микрочипы Ivy Bridge обеспечат 37-процентный прирост быстродействия по сравнению с современными 32-нанометровыми изделиями.
Кроме того, уже ведутся исследования по разработке и внедрению 14-нанометровой технологии производства. Однако дальнейшая миниатюризация, считают американские учёные, будет сопряжена с рядом трудностей, отчасти вызванных свойственными кремнию ограничениями на размеры элементов.
Вместо этого материала предлагается использовать полупроводники группы III-V (соединения, в которые входят элементы из подгрупп бора и азота). Речь, в частности, идёт об арсениде индия-галлия InGaAs.
Схематичное изображение транзистора с планарной (слева) и трёхмерной структурой.
По мнению исследователей, применение InGaAs в транзисторах с трёхмерной структурой позволит преодолеть рубеж в 10 нанометров. А это означает возможность разработки более производительных процессоров с меньшим энергопотреблением.Результаты работ учёные намерены представить на конференции International Electron Devices Meeting в Вашингтоне (США).
www
Комментарии 1
ТОП Новостей
| Гороскоп на 5 декабря 2025 года для всех знаков зодиака (0) |
| В Африке нашли следы древней изолированной ветви человечества (0) |
| Пандемия "Черной смерти" возможно была вызвана извержением вулкана (0) |
| Следы тысячелетиями жившей в изоляции группы людей нашли в Южной Африке (0) |
| Дракон, превратившийся в реку: мифический сад Гесперид в Марокко (0) |
Разговоры у камина
Новое на форуме
Последние комментарии
Архив записей
Мы в соцсетях
