Вход / Регистрация
21.06.2026, 18:24
Выбор фона:
/ Новости сайта / Наука и Технологии / Предложен новый способ изготовления транзисторов с трёхмерной структурой.
07.12.2011
Предложен новый способ изготовления транзисторов с трёхмерной структурой.
07.12.11 Исследователи из Университета Пердью и Гарвардского университета (оба — США) ищут новые материалы для изготовления транзисторов с трёхмерной структурой, призванные прийти на смену традиционному кремнию.
В 2012 году корпорация Intel начнёт производство первых в мире процессоров, использующих технологию Tri-Gate, которая предполагает переход от планарных структур транзисторов к объёмным. 22-нанометровые микрочипы Ivy Bridge обеспечат 37-процентный прирост быстродействия по сравнению с современными 32-нанометровыми изделиями.
Кроме того, уже ведутся исследования по разработке и внедрению 14-нанометровой технологии производства. Однако дальнейшая миниатюризация, считают американские учёные, будет сопряжена с рядом трудностей, отчасти вызванных свойственными кремнию ограничениями на размеры элементов.
Вместо этого материала предлагается использовать полупроводники группы III-V (соединения, в которые входят элементы из подгрупп бора и азота). Речь, в частности, идёт об арсениде индия-галлия InGaAs.
Результаты работ учёные намерены представить на конференции International Electron Devices Meeting в Вашингтоне (США).
www
В 2012 году корпорация Intel начнёт производство первых в мире процессоров, использующих технологию Tri-Gate, которая предполагает переход от планарных структур транзисторов к объёмным. 22-нанометровые микрочипы Ivy Bridge обеспечат 37-процентный прирост быстродействия по сравнению с современными 32-нанометровыми изделиями.
Кроме того, уже ведутся исследования по разработке и внедрению 14-нанометровой технологии производства. Однако дальнейшая миниатюризация, считают американские учёные, будет сопряжена с рядом трудностей, отчасти вызванных свойственными кремнию ограничениями на размеры элементов.
Вместо этого материала предлагается использовать полупроводники группы III-V (соединения, в которые входят элементы из подгрупп бора и азота). Речь, в частности, идёт об арсениде индия-галлия InGaAs.
Схематичное изображение транзистора с планарной (слева) и трёхмерной структурой.
По мнению исследователей, применение InGaAs в транзисторах с трёхмерной структурой позволит преодолеть рубеж в 10 нанометров. А это означает возможность разработки более производительных процессоров с меньшим энергопотреблением.Результаты работ учёные намерены представить на конференции International Electron Devices Meeting в Вашингтоне (США).
www
Комментарии 1
ТОП Новостей
| Утечка данных раскрыла участников тайного общества Питера Тиля, обсуждающих Третью мировую войну и «создание нового культа» (0) |
| Загадка белого Солнца: исследователи заявляют о скором переходе Земли в новое измерение (2) |
| Женщина рассказала о путешествии в загробный мир, встрече с душой-проводником и видениях параллельной жизни (0) |
| «Книга Овер де Линда»: древняя рукопись, которая переписывает историю человечества (0) |
| Проклятие времени: учёная объяснила, почему инопланетяне не хотят лететь на Землю (0) |
Разговоры у камина
Новое на форуме
Последние комментарии
Архив записей
Мы в соцсетях
