Ученые создали одноатомный транзистор
Ученые создали одноатомный транзистор. Такие устройства позволят создать компьютеры нового поколения с беспрецедентно высоким объемом памяти и мощностью. Об этом говорится в исследовании ученых из Национального института стандартов и технологий (NIST), работа которых опубликована в журнале Advanced Functional Materials.
Исследователям удалось создать устройства размером с один атом, а затем изготовить серию одноэлектронных транзисторов с атомным контролем масштаба геометрии устройства.
В своем исследовании ученые продемонстрировали, что могут точно регулировать скорость, с которой отдельные электроны протекают через физический зазор или электрический барьер в транзисторе — даже если классическая физика запрещает электронам делать это, потому что им не хватает энергии. Это строго квантовое явление, известное как квантовое туннелирование, становится возможным только когда зазоры чрезвычайно малы, — например, в миниатюрных транзисторах.
Контроль скорости электронов является ключевым свойством миниатюрных транзисторов, поскольку она влияет на их способность создавать квантовую запутанность.
Для изготовления одноатомных транзисторов ученые использовали технику, при которой кремниевый чип покрывается слоем атомов водорода, легко связывающихся с кремнием. С помощью тонкого наконечника сканирующего туннельного микроскопа исследователи затем удалили атомы водорода в выбранных местах. Оставшийся водород действовал как барьер.
Поскольку квантовое туннелирование является основополагающим для любого квантового устройства, включая построение кубитов, способность контролировать поток одного электрона за раз является значительным достижением. Мы считаем, что наш метод нанесения слоев обеспечивает более стабильные и точные устройства атомного масштаба. Это сложный процесс, но мы наметили шаги, чтобы другим командам не приходилось действовать методом проб и ошибок.
Сицяо Ванг, ведущий автор исследования
Комментарии 1
0
Guest
12.05.2020 15:07
[Материал]
"Ученые создали одноатомный транзистор"....
Published: 19 February 2012 A single-atom transistor... https://www.nature.com/articles/nnano.2012.21 "Сам процесс создания одноатомного транзистора был весьма хитрым и сводился к тому, что сначала кремниевую поверхность при комнатной температуре обрабатывали фосфином РН3, а затем подвергали нагреву до 350 градусов, в результате чего в точно выбранном месте, то есть в узле кристаллической кремниевой решетки, атом кремния заменялся атомом фосфора. Тем же способом рядом с ним вытравлялись электропроводящие полоски, находящиеся от атома-транзистора на расстоянии примерно 9 нанометров, служащие эмиттером и коллектором, и еще пары контактов, расположенные поперек этой конструкции и подальше, на расстоянии 54 нанометра от атома фосфора, с помощью которых изменялось состояние внешней электронной оболочки этого атома. Получилось то, что в электронике называется полевым транзистором, где электросопротивлением управляет не потенциал на базе, а электрическое поле, приложенное ко всему прибору." Даа ну ничего себе одноатомный транзистор ... это типа каши из топора.... короче манагеры ради грантов согласны на любую ложь считая всех идиотами.... жаль... |